Amd e Ibm velocizzano i transistor “stirando” di più il silicio

Le due aziende affermano che, grazie alla nuova tecnologia “Dual stress liner”, le prestazioni migliorano del 27% a parità di consumo. Integrabile nelle attuali tecniche produttive, sarà alla base dei nuovi chip realizzati antro l’estate del 2005

Sin dal gennaio 2003 stanno operando assieme con
l'obiettivo di dar vita a una tecnologia che consenta di realizzare una nuova
generazione di transistor. E ora Amd e Ibm rendono noti i frutti del loro
lavoro, che si concretizzano in una nuova tecnica strained silicon, un
miglioramento della strained silicon già usata da qualche tempo da Intel (sui
Pentium 4 e Pentium M) e Texas Instruments all'interno dei propri chip.


Ricordiamo che la tecnologia strained silicon è un mezzo che consente di
“spremere” un po' di più il silicio “stirando” gli atomi e favorendo quindi il
flusso degli elettroni. Il fine è sempre quello di ottenere transistor capaci di
maggiori prestazioni ma con un minore consumo.


La nuova tecnologia messa a punto congiuntamente da Amd e Ibm viene detta
“Dual stress liner” perché agisce sia sul canale p sia su quello n degli atomi.
Questo, secondo quanto affermano le due aziende, permette di avere un incremento
superiore al 24% nella velocità, pur mantenendo gli stessi consumi energetici,
se si fa un  confronto con transistor simili ma non dotati di questo tipo
di tecnologia. Inoltre, tale procedura non richiede l'impiego di nuove sostanze
oltre al silicio.


Va infine sottolineato che la tecnologia “Dual Stress Liner” funziona senza
l'introduzione di nuove tecniche produttive né di nuovi elementi oltre al
silicio, permettendo così una veloce integrazione nella produzione in volumi
tramite l'impiego di strumenti e materiali standard. A fronte di ciò, Amd
prevede di integrare gradualmente la nuova tecnologia strained silicon in tutti
i processori a 90nm, compresi i processori dual-core Amd 64, entro la prima metà
del 2005.


Ibm ha in programma di introdurre questa tecnologia su diverse architetture a
90 nm, inclusi i chip basati su Power Architecture, entro la prima metà del
2005.


Quali partner di Ibm nella realizzazione del processore Cell, allo sviluppo
della tecnologia “Dual Stess Liner” hanno partecipato anche Toshiba e Sony.
Quest'ultima potrà quindi avvalersene all'interno della prossima
Playstation.

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