Samsung toglie i veli alle DDR3

Presentato il prototipo della nuova memoria che prevede una banda passante pari a 1066 Mbps

Samsung ha presentato il prototipo del primo modulo di memoria DDR3.
Secondo quanto comunicato, il chip ha una capacità di 512 Mbit
e prevede una banda passante di 1 Gbps
, il doppio rispetto alle attuali
DDR2. La velocità verrà progressivamente poi portata a 1333 Mbps.

Ridotta poi la tensione di funzionamento: si passa da 1,8 volt delle
DDR2 a 1,5 Volt
, il che si traduce in una minore potenza dissipata.

La disponibilità in volumi nei notebook, desktop e server è prevista
per l’inizio del 2006. Inizialmente il processo di produzione sarà
a 80 nm.

In ogni caso, ci vorrà del tempo prima che i nuovi moduli ad alte prestazioni
arrivino a essere di larga diffusione. Secondo la società di ricerca
IDC, solo nel 2009 la quota sarà superiore al 65%.

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