Intel dà il via all’era del transistor in 3D

La società rivoluzione il componente base del personal computing, aggiungendo uno sviluppo in verticale. E portando il processo produttivo a 22 nm. Risultato: aumento delle prestazioni del 37% e riduzione dei consumi del 50%. Il debutto all’interno dei nuovi processori Ivy Bridge a fine anno.

Intel dà il via a una nuova
era per il mondo del computing, quella dell’architettura basata sui transistor
3D. A fronte di una progettazione durata quasi un decennio, la società di Santa
Clara ha messo a punto un nuovo processo produttivo a 22 nm che fa evolvere
l’elemento base di tutto il mondo Ict dalla tradizionale struttura piana a una
a tre dimensioni. Il risultato è un componente più piccolo rispetto a quanto
consentito dall’attuale generazione a 32 nm, più veloce e che consuma meno
energia.

Il nuovo transistor è stato
chiamato tri-gate 3D perché la reale innovazione sta nel fatto che il canale
attraverso il quale passa la corrente, da piano (com’è stato dalla nascita dei
microprocessori) diventa tridimensionale, aggiungendo uno sviluppo in
verticale. Questo da una parte aumenta la quantità di corrente che il transitor
può far transitare, dall’altra permette di inserire un gate, ossia il
dispositivo che si occupa di controllare il flusso di tale corrente, su ogni
lato del canale di conduzione. Il risultato è un controllo più efficace, che
massimizza il flusso di corrente durante la fase “on” e porta
pressoché a zero il passaggio di corrente durante la fase “off”. Ma
anche che permette un più rapido passaggio da uno stato all’altro.

Intel afferma che, rispetto
alla tecnologia a 32 nm, il nuovo tri-gate 3D a 22 nm offre un aumento delle
prestazioni del 37% e nella fase “off”, a parità di performance, riduce
il consumo energetico del 50%. Da sottolineare che Intel ha provato anche a
sviluppare transistor a 22nm anche usando il tradizionale processo piano: in
questo caso l’aumento delle prestazioni è stato del 20%.

Il fatto di sviluppare in
verticale il canale di transito della corrente fornisce a Intel la possibilità
di incrementare la densità dei transistor, portando vantaggi sia tecnologici
sia economici. La nuova tecnologia, infatti, permette di raddoppiare il numero
di componenti a parità di superficie e ridurre l’incidenza del costo di
lavorazione del tradizionale wafer da 12″ al 2-3% rispetto al 10% della
tecnologia a 32 nm.

Il nuovo processo produttivo
darò origine a una nuova generazione di processori, chiamate in codice Ivy
Bridge, che a partire dal prossimo anno sostituiranno gradualmente tutte le
attuali gamme, dai server ai client. Ma non solo, afferma Intel, la nuova tecnologia
di silicio permetterà di offrire prodotti basati su processori Intel Atom
ancora più integrati. L’obiettivo dell’azienda è di risultare ancora più
competitiva in quei segmenti di mercato che la vedono tradizionalmente presente
ma anche di ampliare in modo sostanziale il proprio raggio di azione ad altri
settori, primi fra tutti la telefonia e i tablet.

I nuovi transistor tri-gate
3D sono anche la base sulla quale Intel sta progettando il futuro processo
produttivo a 14 nm, che la consueta roadmap prevede sia annunciato fra un paio di
anni, Tuttavia, sempre nell’ottica di poter confermare la propria competitività,
la società è fiduciosa di poter accelerare un po’ lo sviluppo.

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