Presentata una nuova linea di memorie magnetoresistive.
Freescale Semiconductor ha annunciato la disponibilità delle prime memorie MRam, vale a dire le Magnetoresistive Random Access Memory, memorie non volatili con un numero di cicli di cancellazione/riscrittura illimitati, sviluppate su tecnologia proprietaria.
I componenti basati su MRam usano materiali magnetici uniti a circuiti di silicio tradizionali per offrire la velocità di SRAM con la non-volatilità di Flash in un singolo device.
Il primo prodotto della nuova linea si chiama MR2A16A ed è un dispositivo da 3.3 volt con cicli di tempo lettura e scrittura da 35 nanosecondi.
La disponibilità commerciale del prodotto parte da questi giorni.
