AMD annuncia transistor da 10 nanometri

Mentre all’IDF Intel dimostra un processore da 0,13 micron overclocked a oltre 4 GHz, AMD annuncia di aver fabbricato transistor da 0,01 micron, i più piccoli mai prodotti con processi industriali; si potrebbe arrivare a un miliardo di transistor nello spazio di un chip che oggi ne contiene 100 mili

10 settembre 2002. Anche quest'anno AMD attira l'attenzione su di sé nei
giorni in cui Intel tiene l'IDF. Se Intel rivela di essere al lavoro
per produrre chip da un miliardo di transistor, AMD rilancia annunciando di aver
prodotto transistor da 10 nanometri con processi di fabbricazione industriali.
Questi transistor hanno dimensioni sei volte inferiori rispetto a quelli più
piccoli oggi in produzione e sono realizzati con una struttura a doppia porta.

Si chiamano Fin Field Effect Transistor (FinFET) perché si basano su una
piccola pinna verticale (fin) di silicio che contribuisce a controllare la
corrente residua attraverso il transistor quando esso si trova nello stato off.
La doppia porta permette di raddoppiare la corrente che può essere inviata
attraverso il transistor.


Questo progetto permette ad AMD di proseguire nella curva di incremento delle
prestazioni e della densità senza discostarsi in modo significativo dagli
attuali processi di fabbricazione comunemente adottati dall'industria. Secondo i
ricercatori, infatti, le caratteristiche dei nuovi dispositivi fanno ritenere
che la tecnologia CMOS abbia ancora un forte potenziale di scalabilità. I
transistor CMOS FinFET prodotti nel Submicron Development Center di AMD sono il
risultato della collaborazione con tra AMD e l'Università di California a
Berkeley, con il contributo della Semiconductor Research Corporation. La nuova
tecnologia verrà illustrata al prossimo International Electron Devices Meeting,
che si terrà a San Francisco il 9-11 dicembre prossimi.

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