Disegnati dei transistor con dimensioni di 20 nanometri. I nuovi componenti sono il 30% più piccoli e il 25% più rapidi di quelli sino ad oggi disponibili. Entreranno in produzione per il 2007
I ricercatori di Intel hanno realizzato
transistor delle dimensioni di 20 nanometri (ossia milionesimi di millimetro)
grazie ai quali, sostengono a Santa Clara, in cinque o sei anni si potranno
realizzare processori in grado di raggiungere una frequenza di 20 GHz e che
saranno alimentati con tensioni inferiori a 1 V (il Pentium 4, per esempio, usa
un’alimentazione di 1,7 V).
L’annuncio è stato dato a Kyoto nel corso
dell’edizione 2001 della conferenza Silicon Nanonoelectronics Workshop,
destinata a tecnici e scienziati del mondo dei semiconduttori. Secondo fonti
Intel, i nuovi transistor sarebbero il 30% più piccoli e il 25% più rapidi dei
più veloci transistori sino ad oggi mai realizzati e rappresentano la base della
tecnologia 0,045 micron che l’azienda prevede di far entrare in produzione verso
il 2007.
Dal punto di vista delle prestazioni, quando operano da interruttori
(come fanno nei microprocessori) i nuovi transistor riescono a effettuare 1000
commutazioni in più al secondo rispetto a quelli attualmente usati e ciò
consente di incrementare notevolmente la potenzialità di calcolo del singolo
chip. Ma non solo. La loro limitata alimentazione permette in più di avere
livelli molto bassi di consumo. I transistor hanno una dimensione di tre
strati atomici. Per fare un paragone, ci vorrebbero circa 100.000 strati di
questi gate per fare lo spessore di un foglio di carta.
Un particolare da non
trascurare è che, pur consentendo prestazioni tanto spinte, i nuovi transistor
sono stati realizzati con tecnologie e materiali attuali. Ma per il periodo in
cui è prevista la loro produzione, Intel userà un nuovo materiale per i gate e
ciò potrebbe rappresentare un ulteriore vantaggio per questi componenti.
