Da Ibm un nuovo transistor al silicio che viaggia a 210 GHz

Ibm ha raffinato la propria tecnologia di produzione della giunzione silicio-germanio ed
è riuscita a realizzare transistor particolarmente sottili. Il
risultato: le informazioni corrono più veloci o alla stessa velocità ma usano
meno energia.
Il nuovo transistor
può infatti lavorare a 210 GHz impiegando soltanto 1 mA di corrente elettrica oppure,
se si preferisce, è circa l’80% più veloce rispetto alla tecnologia
attuale ma l’energia che usa è la metà.
I primi chip che impiegheranno la nuova tecnologia saranno
quelli destinati al networking e saranno volti a favorire la
conduzione dei dati sulle reti a fibre ottiche ad alta
velocità.

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