Un nuovo materiale per i microchip: lo annuncia la Ibm Alliance

Si chiama High-k metal gate e verrà implementato nel 2008.

In collaborazione con i partner della Ibm Alliance, Sony, Toshiba e Amd, Ibm
annuncia un importante passo avanti nelle tecniche di progettazione e
costruzione dei microchip, grazie all’utilizzo di nuovi materiali che
creano le premesse per circuiti di dimensioni, velocità ed efficienza
energetica ritenute finora impensabili.

“High-k metal gate”, questo il
nome della tecnologia, sostituisce un nuovo materiale in una posizione critica
del transistor, che controlla la sua funzione di commutazione on/off principale.
Il materiale offre proprietà elettriche di livello superiore rispetto al
predecessore, potenziando la funzione del transistor e consentendo inoltre di
ridurne le dimensioni oltre i limiti raggiunti attualmente.

Ma non è
tutto: la nuova tecnologia può essere incorporata nelle linee di produzione
dei chip esistenti, con modifiche minime alle attrezzature e ai processi,
rendendola così realizzabile anche dal punto di vista economico.

Ibm ha
già inserito la nuova tecnologia nella linea East Fishkill e la applicherà ai
prodotti a partire dal 2008.

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