Da Samsung e in arrivo la Dram da 1 Gbyte

Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato il primo esemplare di chip di memoria da 1 Gigabyte, utilizzando il processo produttivo particolarmente avanzato a 0,13 micron. Il nuovo chip Ddr SdRam (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Ac …

Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato il primo esemplare di
chip di memoria da 1 Gigabyte, utilizzando il processo produttivo
particolarmente avanzato a 0,13 micron. Il nuovo chip Ddr SdRam (Double
Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) rappresenta, di fatto,
la massima capacità di memoria attualmente raggiungibile utilizzando wafer
da 0,13 micron di spessore. La maggior parte degli altri produttori di
memorie sta attualmente lavorando per la realizzazione di chip da 128 e 256
Mb con processo produttivo a 0,18 micron. La nuova memoria di Samsung opera
alla frequenza di 350 MHz e offre, stando al produttore, dimensioni
inferiori del 30/40% rispetto ad analoghi prototipi attualmente in fase di
sviluppo presso altre case costruttrici Inoltre, i chip da 1 Gb di Samsung
utilizzano la stessa architettura delle attuali Dram da 256 Mb, consentendo
al produttore coreano di preservare gli investimenti in equipaggiamenti
tecnologici già effettuati. La produzione e la disponibilità delle nuove
memorie dovrebbero essere cosa concreta già entro la fine dell'anno. Il
target di riferimento per le nuove Dram sarà, almeno inizialmente, quello
dei server high-end e dei mainframe, ma nel futuro il loro utilizzo
potrebbe essere esteso a sistemi di videoconferenza e ad altre applicazioni
di carattere multiemediale.

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