Agere, il 3G cambia il transistor

La produzione di transistor Ldmos offre garanzie alle specifiche necessità dei sistemi di generazione 2.5G e 3G

15 marzo 2004 Continua il successo della tecnologia Agere
Systems
nei sistemi cellulari di nuova generazione. La larga banda
offerta dalla trasmissione 2.5G e 3G è uno sviluppo reso possibile solo da una
particolare tecnologia dei semiconduttori che compongono i transistor.
Le specifiche di velocità e potenza discendono da parametri
geometrici e prestazionali che sono stati tabellati in sedi internazionali.

La base della proposta di Agere si chiama Ldmos, acronimo
di laterally-diffused metal oxide semiconductor, un meccanismo di
produzione di transistor a radiofrequenza che si sta mostrando particolarmente
valido nella radiofrequenza di potenza necessaria anche per gli standard di
trasmissione basati sul Cdma

.
Un
elemento fondante dei nuovi transistor risiede negli studi di materiali
dielettrici di grande efficienza (low-k dielectrics) oggi disponibili su
geometrie a 130 nm. Agere è numero 1 mondiale per le reti telefoniche Usa
Sonet/SDH. Presente in molti altri settori della microelettronica, ha una gamma
di prodotti anche per le reti colali cablate o wireless.

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