Addio al silicio, il futuro è nell’high-K

Penryn sarà la prima generazione di chip Intel con processo produttivo a 45 nm. Previsti ben 800 milioni di transistor per la versione quad-core. Attesi risparmi energetici nell’ordine del 30 percento.

Intel procede a tappe forzate verso i 45 nm, nuova frontiera dello sviluppo
circuitale. La società di Santa Clara ha infatti annunciato il prototipo di
microprocessore, battezzato Penryn, costruito con processo a 45 nm. Il chip fa
uso di una speciale tecnologia che consente di usare transistor con gate
metallici (al posto di quelli in silicio) e uno speciale materiale con proprietà
high-K (in grado di ridurre la dispersione di corrente) all’interno del
dielettrico del gate.


Il pensionamento del silicio si è reso necessario, considerando l’instabilità
del materiale a questi livelli di miniaturizzazione. 

La nuova tecnologia permette, secondo i dati diffusi da Intel, di ridurre
di circa il 30% la potenza richiesta per la commutazione on/off dei transistor
e una maggiore velocità (fino al 20%) nella commutazione stessa. Non
solo, il processo produttivo a 45 nm consente di raddoppiare la densità
dei transistor a parità di superficie. Il che si traduce da un lato nella
possibilità di fare processori più piccoli a parità di
transistor e dall’altro di avere chip più potenti a parità
di superficie.

La concretizzazione di questa filosofia si chiama Penryn, una famiglia di processori
con 400 milioni di transistor nella versione dual core (ben 800 milioni in quella
quad core). Penryn potrà contare su una cache fino a 12 MB e su circa
50 nuove istruzione SSE4. Intel ha nei piani 15 modelli a 45 nm, nel segmento
mobile, desktop e workstation. La produzione a 45 nm comincerà nella
seconda metà del 2007.

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